[发明专利]形成接合的方法有效
申请号: | 201010149435.4 | 申请日: | 2010-02-20 |
公开(公告)号: | CN101814447A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | R·罗思;D·西佩 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L21/314 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;李家麟 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种形成接合的方法,包括提供主体(1,1’),该主体(1,1’)包括设有无机介电保护层(13,13’)的金属表面(12a,12a’)。保护层(13,13’)至少覆盖金属表面(12a,12a’)的一个表面区(12b,12b’),其中该金属表面(12a,12a’)将被导电接合到接触导体(30,30’)。为了形成接合,表面区(12b,12b’)之上的所提供的接触导体(30,30’)的部分被压到保护层(13,13’)和主体(1,1’)上,以便破坏表面区域(12b,12b’)之上的保护层(13,13’),从而在金属表面(12a,12a’)和接触导体(30,30’)之间形成导电接合。 | ||
搜索关键词: | 形成 接合 方法 | ||
【主权项】:
一种用于形成接合的方法,包括步骤:提供主体,该主体包括设有无机介电保护层的金属表面,该无机介电保护层覆盖金属表面的至少一个表面区,金属表面要在该表面区中被导电接合到接触导体;提供接触导体;通过产生压力F并在表面区之上将接触导体的一部分压向保护层和主体,来破坏表面区之上的保护层;在金属表面和接触导体之间形成导电接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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