[发明专利]形成接合的方法有效

专利信息
申请号: 201010149435.4 申请日: 2010-02-20
公开(公告)号: CN101814447A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: R·罗思;D·西佩 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603;H01L21/314
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;李家麟
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种形成接合的方法,包括提供主体(1,1’),该主体(1,1’)包括设有无机介电保护层(13,13’)的金属表面(12a,12a’)。保护层(13,13’)至少覆盖金属表面(12a,12a’)的一个表面区(12b,12b’),其中该金属表面(12a,12a’)将被导电接合到接触导体(30,30’)。为了形成接合,表面区(12b,12b’)之上的所提供的接触导体(30,30’)的部分被压到保护层(13,13’)和主体(1,1’)上,以便破坏表面区域(12b,12b’)之上的保护层(13,13’),从而在金属表面(12a,12a’)和接触导体(30,30’)之间形成导电接合。
搜索关键词: 形成 接合 方法
【主权项】:
一种用于形成接合的方法,包括步骤:提供主体,该主体包括设有无机介电保护层的金属表面,该无机介电保护层覆盖金属表面的至少一个表面区,金属表面要在该表面区中被导电接合到接触导体;提供接触导体;通过产生压力F并在表面区之上将接触导体的一部分压向保护层和主体,来破坏表面区之上的保护层;在金属表面和接触导体之间形成导电接合。
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