[发明专利]接面场效应晶体管元件有效
| 申请号： | 201010149527.2 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102201454A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 胡智闵;洪崇祐;陈永初;龚正 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L27/098 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为接面场效应晶体管元件，包括第一型掺杂物的基板；基板中的第二型掺杂物的第一阱区；第一型掺杂物的一第二阱区和一第三阱区，于第一阱区中彼此分离；第一型掺杂物的第四阱区，位于第二阱区和第三阱区间；第二型掺杂物的第一扩散区，位于第四阱区及第二阱区之间；及第二型掺杂物的第二扩散区，位于第三阱区以及第四阱区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 元件 | ||
【主权项】：
一种接面场效应晶体管元件，其特征在于，该接面场效应晶体管元件包括：一第一型掺杂物的一基板；一第二型掺杂物的一第一井区，该第一井区位于该基板中；该第一型掺杂物的一第二井区和一第三井区，该第二井区和该第三井区于该第一井区中彼此分离；该第一型掺杂物的一第四井区，该第四井区位于该第二井区和该第三井区之间；该第二型掺杂物的一第一扩散区，该第一扩散区位于该第二井区及该第四井区之间；以及该第二型掺杂物的一第二扩散区，该第二扩散区位于该第三井区及该第四井区之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010149527.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括RAID组的存储系统
- 下一篇：一种多孔硅/碳复合材料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
