[发明专利]半导体薄膜太阳能电池的制造系统和方法有效
| 申请号： | 201010149892.3 | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102024870A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖;李晓常 | 申请（专利权）人： | 福建欧德生光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体薄膜太阳能电池的制造系统和方法，能够在热化学反应生成化合物薄膜的过程中提供连续、平稳的热化学变温反应条件，特别适合于高量产、连续、稳定可控地制造铜铟镓硒多晶薄膜太阳能电池的吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 太阳能电池 制造 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体薄膜太阳能电池的制造系统，其特征在于包括：具有复数个固定温区的通道式多温区加热装置；由复数个可调节气氛的热化学反应容器组成的生产线；以及旋转机构和控制部件，所述控制部件控制所述旋转机构驱动所述生产线上的热化学反应容器顺序通过所述通道式多温区加热装置的复数个固定温区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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