[发明专利]薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法无效
| 申请号： | 201010150255.8 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101867017A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 野本和正;胜原真央;汤本昭 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。用于制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：利用栅极绝缘膜覆盖被图案化在衬底上的栅极电极；在栅极绝缘膜上按顺序形成有机半导体层和电极膜；以及在设置有有机半导体层和电极膜的衬底上形成负型光刻胶膜，并且，通过将栅极电极用作遮光掩模从衬底一侧进行背表面曝光，并进行随后的显影处理，来形成抗蚀剂图案，所述抗蚀剂图案用作通过刻蚀电极膜来形成源极-漏极所用的掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：利用栅极绝缘膜覆盖被图案化在衬底上的栅极电极；在所述栅极绝缘膜上按顺序形成有机半导体层和电极膜；以及在设置有所述有机半导体层和所述电极膜的所述衬底上形成负型光刻胶膜，并且，通过将所述栅极电极用作遮光掩模从所述衬底一侧进行背表面曝光，并进行随后的显影处理，来形成抗蚀剂图案，所述抗蚀剂图案用作通过刻蚀所述电极膜来形成源极-漏极所用的掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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