[发明专利]组合半导体整流器件和使用该组合半导体整流器件的电功率转换器有效
| 申请号： | 201010150673.7 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101853847A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 森本哲弘 | 申请（专利权）人： | 富士电机系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H02M1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种组合半导体整流器件和使用该组合半导体整流器件的电功率转换器。根据本发明的组合半导体整流器件1包括PN结硅二极管1b和肖特基势垒二极管1a，该肖特基势垒二极管1a具有的击穿电压高于PN结硅二极管1b的击穿电压，而且肖特基势垒二极管1a由半导体制成，该半导体的带隙比硅的带隙宽。根据本发明的组合半导体整流器件1具有缩短的反向恢复时间、低反向漏电流特性和高击穿电压。根据本发明的组合半导体整流器件1在电功率转换器中有利地使用。 | ||
| 搜索关键词： | 组合 半导体 整流 器件 使用 电功率 转换器 | ||
【主权项】：
一种组合半导体整流器件，包括：彼此串联的PN结硅二极管和肖特基势垒二极管；所述肖特基势垒二极管具有的击穿电压等于或高于所述PN结硅二极管的击穿电压；以及所述肖特基势垒二极管包括带隙比硅的带隙宽的半导体。
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