[发明专利]离子辐射损伤预测方法和仿真器以及离子辐射设备和方法

摘要

公开了离子辐射损伤预测方法和仿真器以及离子辐射设备和方法。所述离子辐射损伤预测方法包括参数计算步骤，其通过考虑轰击制造目标的入射离子的传输路径，以及通过采用将入射离子的通量、入射能量和角度的分布作为输入参数的蒙特卡罗方法，来计算所述离子的碰撞位置和入射角度；以及缺陷分布计算步骤，其用于：通过参考在所述参数计算步骤得到的信息以及预先创建的数据库，来针对数据进行检索，其中所述数据库用于存储对所述制造目标具有影响的晶体缺陷量的分布、离子反射概率的分布以及离子穿透深度的分布；基于在检索操作中得到的所述数据以及入射离子的入射能量和角度，得到入射离子的穿透深度和位置；以及根据穿透深度和位置，计算制造目标中缺陷的分布。

主权项

一种离子辐射损伤预测方法，包含：参数计算步骤，其通过考虑由轰击制造目标的入射离子跟踪的、作为到所述制造目标的路径的传输路径，以及通过采用将入射离子的通量的分布、入射离子的入射能量的分布以及入射离子的入射角度的分布作为输入参数的蒙特卡罗方法，来计算所述入射离子的碰撞位置和所述入射离子的入射角度；以及缺陷分布计算步骤，通过参考在所述参数计算步骤得到的信息以及由根据经典分子动力学或分子动力学的第一原理的计算所预先创建的数据库，来执行针对数据进行检索的检索操作，其中所述数据库用作：用于存储对所述制造目标具有影响的晶体缺陷量的分布的数据库、用于存储离子反射概率的分布的数据库以及用于存储离子穿透深度的分布的数据库，基于在所述检索操作中得到的所述数据、轰击所述制造目标的所述入射离子的入射能量以及所述入射离子的入射角度，得到轰击所述制造目标的所述入射离子的穿透深度以及所述入射离子的穿透位置，以及根据轰击所述制造目标的所述入射离子的所述穿透深度以及所述入射离子的所述穿透位置，计算所述制造目标中离子辐射所导致的缺陷的分布。