[发明专利]具有束流减速器的离子注入机系统无效
申请号: | 201010151648.0 | 申请日: | 2010-04-19 |
公开(公告)号: | CN101807507A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 胡新平;黄永章 | 申请(专利权)人: | 胡新平;黄永章 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/05 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 | 代理人: | 胡吉科 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及离子束的注入领域,其公开了具有束流减速器的离子注入机系统,包括离子束系统和靶室系统,该离子束系统包括产生离子束的离子源和用以选择、成型和传输离子束到达靶室的电磁装置,该靶室系统用来对目标工件进行扫描;其特征在于:还包括减速装置,其位于所述靶室系统的上游位置并减小离子束的能量,并移除有害的上游中性分子和原子;所述减速装置包括一系列电极对;所述电极对设置有侧电极。本发明的有益效果是:本发明通过采用多电极进行减速和偏转离子束,既能去掉离子束的能量污染,又减小电极的端部效应。 | ||
搜索关键词: | 具有 减速器 离子 注入 系统 | ||
【主权项】:
一种具有束流减速器的离子注入机系统,包括离子束系统和靶室系统,该离子束系统包括产生离子束的离子源和用以选择、成型和传输离子束到达靶室的电磁装置,该靶室系统用来对目标工件进行扫描;其特征在于:还包括减速装置,其位于所述靶室系统的上游位置并减小离子束的能量,并移除有害的上游中性分子和原子;所述减速装置包括一系列电极对;所述电极对设置有侧电极。
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