[发明专利]一种可同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器无效
申请号: | 201010152067.9 | 申请日: | 2010-04-20 |
公开(公告)号: | CN102236625A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 迟志刚 | 申请(专利权)人: | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
主分类号: | G06F13/28 | 分类号: | G06F13/28 |
代理公司: | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人: | 曹立维 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种可同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器,由微控制器、设备控制器、设备端DMA控制器、系统存储器、系统存储器访问仲裁逻辑单元、NANDflash DMA写控制逻辑单元、NANDflash DMA读控制逻辑单元、NANDflash数据缓存区单元和NANDflash接口控制器逻辑单元构成。该控制器在写操作执行的同时读操作的数据从NANDflash阵列读出写入数据缓存区,并由NANDflash DMA读控制逻辑单元从NANDflash数据缓存区读出并写入系统存储器,在写操作完成后由设备控制器将数据从系统存储器读出并传送到主控端。本发明能够同时进行读写NANDflash的操作,并且能够有效提高在随机读NANDflash和随机写NANDflash交替出现情况下多通道NANDflash控制器的带宽,满足应用需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 同时 进行 读写 操作 通道 nandflash 控制器 | ||
【主权项】:
一种可同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器,由微控制器、设备控制器、设备端DMA控制器、系统存储器、系统存储器访问仲裁逻辑单元、NANDflash DMA写控制逻辑单元、NANDflash DMA读控制逻辑单元、NANDflash数据缓存区单元和NANDflash接口控制器逻辑单元构成。
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