[发明专利]一种集成电路工艺参数模型的优化方法无效

专利信息
申请号: 201010152160.X 申请日: 2010-04-21
公开(公告)号: CN101840451A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 陈英涛;戴宏;唐翰犀 申请(专利权)人: 云南大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 昆明今威专利代理有限公司 53115 代理人: 赵云
地址: 650091 云南省*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种集成电路设计中的优化方法,具体涉及一种对集成电路工艺参数模型进行优化的方法。本发明以不同种类的从不同厂家、不同特征尺寸的不同晶片,不同批次集成电路晶片中提取的工艺参数建立工艺参数模型数据库;根据设计的电路的类型和特点,从数据库中选中数个工艺参数模型作为待优化对象,以数值统计分析方法为基础,对集成电路工艺参数模型进行优化;优化对象为代表不同工艺特征的参数模型。利用本发明的方法设计集成电路可以有效降低工艺参数等变化对电路性能的影响,使基于该模型设计的电路更能适应各种工艺参数的变化,达到提高电路设计的成功率和最终产品的成品率的目的。
搜索关键词: 一种 集成电路 工艺 参数 模型 优化 方法
【主权项】:
一种集成电路工艺参数模型的优化方法,其特征在于:以不同种类的从不同厂家、不同特征尺寸的不同晶片,不同批次集成电路晶片中提取的工艺参数建立工艺参数模型数据库;根据设计的电路的类型和特点,从数据库中选中数个工艺参数模型作为待优化对象,以数值统计分析方法为基础,对集成电路工艺参数模型进行优化;优化对象为代表不同工艺特征的参数模型。
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