[发明专利]一种低温制备介孔碳化硅材料的方法无效
| 申请号： | 201010152336.1 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101823713A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 张海娇;赵兵;陶海华;宋劲松;张国华;焦正 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低温制备介孔碳化硅材料的方法，属于无机化学和材料合成技术领域。本发明方法的步骤如下：将一定量的介孔二氧化硅SBA-15或KIT-6和蔗糖、H2SO4、去离子水混合，在500～750℃下使蔗糖碳化，制得介孔二氧化硅中填充有碳的的复合物，称为C/SBA-15或C/KIT-6；然后再用Mg粉与C/SBA-15或C/KIT-6的质量比为1∶2相混合，在500～700℃下和氮气保护下反应6小时；然后用HF水溶液及HNO3水溶液清洗，经过滤、烘干后即制得介孔SiC材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 制备 碳化硅 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种低温制备介孔碳化硅材料的方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：a.取一定量的介孔二氧化硅SBA-15或KIT-6、蔗糖、硫酸和去离子水相混合，介孔二氧硅、蔗糖、硫酸和去离子水四者的质量比为1∶0.71∶0.14∶3；先在100℃下处理6小时，再在160℃下处理6小时；接着在500～750℃下并在氮气保护下碳化6小时，使蔗糖碳化，得到介孔二氧化硅中填充有碳的复合物；该复合物简称为C/SBA-15或C/KIT-6；b.然后将Mg粉与上述的C/SBA-15或C/KIT-6以质量比1∶2相混合，并在500～700℃下在氮气保护下反应6小时；c.将所得产物在10％HF水溶液中清洗3～5小时，然后在2～4M的HNO3水溶液中清洗6～8小时；经过滤、洗涤、烘干后，即制得介孔SiC材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010152336.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
