[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置有效
| 申请号： | 201010152394.4 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101805927A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈博源;陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置。该生长装置包括真空室、石墨坩埚和感应线圈。本发明的生长装置基于物理气相传输(PVT)技术生长高纯半绝缘碳化硅体单晶，无需特殊的生长工艺。其主要特点为：生长炉的侧壁使用多层(至少三层)结构，侧壁内具有两个以上的相互独立的空间，分别用于通冷却水和高纯惰性气体(一般是高纯氩气)，或通冷却水和抽真空。采用本发明的生长装置可以有效地将石墨坩埚和空气隔绝，避免生长过程中空气中的氮气进入石墨坩埚，有效地控制氮元素掺入生长的碳化硅晶体，得到高纯半绝缘碳化硅体单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 绝缘 碳化硅 体单晶 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种半绝缘碳化硅体单晶的生长装置，该生长装置包括：真空室、石墨坩埚和感应线圈，其中，所述真空室包括炉体和炉盖；所述炉体内设有石墨坩埚和感应线圈，且所述感应线圈围绕于石墨坩埚外壁；所述炉体侧壁设有隔离腔进/抽气口，炉体底部还设有与真空泵相连通的抽气口；且所述炉体侧壁内部从内到外依次设有相互独立的隔离腔和冷却水腔。
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