[发明专利]一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法无效
| 申请号： | 201010153505.3 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101814527A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法。该功率器件包括至少一个光电子注入光源和一个功率MOS晶体管。本发明采用光电子注入的方法向功率MOS晶体管栅极下方的漂移区注入载流子，进行电导调制，从而可以降低功率MOS晶体管的特征导通电阻，同时，因为漂移区的掺杂浓度可以得到降低，阻断电压可以提高，从而大大提高了功率MOS晶体管的性能，使得功率MOS晶体管的应用拓展到高电压领域内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 光电子 注入 进行 电导 调制 功率 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件，其特征在于，该功率器件包括至少一个光电子注入光源和一个功率MOS晶体管。
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