[发明专利]一种可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅及其制造方法有效
| 申请号： | 201010153744.9 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101847655A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周;克里丝 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅及其制造方法。现有技术中栅介质层的底端部分仅为氧化硅，从而造成栅漏电容过大且在制造时易出现过刻蚀损伤硅衬底并影响器件性能。本发明的可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅包括层叠在栅极沟槽中的栅介质层和多晶栅层，该栅介质层具有分别位于栅极沟槽侧壁和底端的侧壁部分和底端部分，该侧壁部分为氧化硅，该底端部分包括依次层叠的第一氧化硅层、化学机械抛光终止层和第二氧化硅层，本发明的沟槽栅制造方法在进行氧化硅的化学机械抛光时在化学机械抛光终止层上终止。本发明可避免过刻蚀损伤硅衬底和器件的性能，并可有效降低栅漏电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 沟槽 mos 器件 性能 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅，包括层叠在栅极沟槽中的栅介质层和多晶栅层，该栅介质层具有分别位于栅极沟槽侧壁和底端的侧壁部分和底端部分，该侧壁部分为氧化硅，其特征在于，该底端部分包括依次层叠的第一氧化硅层、化学机械抛光终止层和第二氧化硅层。
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