[发明专利]一种可改善回跳性能的LDMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010153752.3 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101819997A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王颢 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可改善回跳性能的LDMOS器件及其制造方法。现有技术需通过维持高压阱较低的掺杂浓度来确保LDMOS器件具有较高的击穿电压，从而造成器件的回跳性能较差。本发明的可改善回跳性能的LDMOS器件包括硅衬底、高压阱、源极、源极漂移区、漏极、漏极漂移区、栅极及其侧墙，该LDMOS器件还包括设置在高压阱中且毗邻源极漂移区的减阻块，该减阻块与高压阱掺杂类型相同且其杂质浓度高于该高压阱。本发明通过减阻块的设置可在不改变高压阱杂质浓度的前提下，有效降低LDMOS器件内寄生BJT的基极电阻，从而有效提高LDMOS器件的最高工作电压并改善LDMOS器件的回跳性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 性能 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可改善回跳性能的LDMOS器件，包括硅衬底、高压阱、源极、源极漂移区、漏极、漏极漂移区、栅极及其侧墙，该高压阱形成在该硅衬底中，该源极漂移区和漏极漂移区形成在该高压阱中且排布在栅极两侧，该源极和漏极分别形成在该源极漂移区和漏极漂移区中，其特征在于，该LDMOS器件还包括设置在高压阱中且毗邻源极漂移区的减阻块，该减阻块与高压阱掺杂类型相同且其杂质浓度高于该高压阱。
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