[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010155659.6 申请日: 2010-03-26
公开(公告)号: CN102201382A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 陈家庆;丁一权 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/488;H01L23/522;H01L25/00;H01L21/50;H01L21/607
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件具有贯孔并包括芯片、封胶、介电层、第一图案化导电层、贯孔导电层、第二图案化导电层及焊线球。芯片具有主动表面、芯片背面及芯片侧面并包括接垫。接垫形成于主动表面上。封胶具有第一封胶表面与相对应的第二封胶表面,第一封胶表面露出接垫。封胶并包覆芯片背面及芯片侧面。介电层形成于第一封胶表面并具有露出贯孔的开孔。贯孔导电层形成于贯孔内。第一图案化导电层形成于开孔内。第二图案化导电层形成于第二封胶表面并延伸至贯孔导电层。焊线球形成于位于第二封胶表面上的图案化导电层。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体封装件,包括:一芯片,具有一芯片侧面及相对的一主动表面与一芯片背面并包括一第一接垫,该第一接垫形成于该主动表面上;一封胶,具有一第一封胶表面与相对应的一第二封胶表面,该第一封胶表面露出该第一接垫,该封胶并包覆该芯片背面及该芯片侧面;一贯孔,从该第一封胶表面贯穿至该第二封胶表面;一第一介电层,形成于该第一封胶表面并具有露出该贯孔的一第一开孔;一贯孔导电层,形成于该贯孔内;一第一图案化导电层,形成于该第一开孔内并延伸至该贯孔导电层;一第二图案化导电层,形成于该第二封胶表面并延伸至该贯孔导电层;以及一第一焊线球,形成于位于该第二图案化导电层。
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