[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体集成电路器件的制造方法。尽管在管芯键合中在半导体芯片的背表面上提供有粘附剂层，但是层叠处理(主压力键合)需要在管芯键合过程(临时压力键合)之后确保粘附剂层的粘附状态。在这种情况下，通常是通过在加热的同时利用增压部件从上到下按压芯片的背面来进行粘附剂的硬化。显然，由于芯片变得较薄，在通过这种机械增压方法来层叠芯片的层叠处理中，存在各种问题。也即，问题包括悬垂状态下芯片的部分损坏、由弯曲和不均匀增压导致的芯片位置偏移等。本发明是在衬底产品的管芯键合过程中，在对电路衬底上的多个半导体芯片进行层叠和临时压力键合之后，通过静态气压来执行层叠处理。

主权项

一种半导体集成电路器件的制造方法，包括步骤：(a)将在其第一主表面上具有多个器件区域的电路衬底引入管芯键合设备；(b)在所述管芯键合设备中，将多个芯片层叠体固定在每个所述器件区域中，每个所述芯片层叠体具有在其上层中的半导体芯片以及其后侧上的粘附剂层，从而将所述芯片层叠体层叠在彼此偏移的相应位置中；以及(c)在步骤(b)之后，在所述管芯键合设备中，在将每个所述芯片层叠体加热到第一温度的状态下，在每个所述芯片层叠体的暴露表面上施加均匀的静态气压。