[发明专利]半导体器件、显示装置和电子设备有效
| 申请号： | 201010157048.5 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101866616A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在放大晶体管的尺寸的情况下，晶体管的功耗增加。由此，本发明提供了一种能够防止电流在信号写操作期间流入显示元件，而不改变用于向每行的显示元件提供电流的电源线的电势的显示装置。在通过向晶体管施加预定电流来设置晶体管的栅极-源极电压时，调整晶体管的栅极端子的电势，以防止电流流入连接到晶体管的源极端子的负载。因此，连接到晶体管的栅极端子的引线的电势与连接到晶体管的漏极端子的引线的电势不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：发光元件；具有栅电极、位于所述栅电极上的栅极绝缘膜以及位于所述栅极绝缘膜上的半导体层的晶体管；电容器；以及位于所述晶体管和所述电容器上的绝缘膜，所述晶体管的源极和漏极中的一个通过引线与所述发光元件的像素电极进行电连接，所述电容器的电极与所述发光元件的所述像素电极进行电连接，所述绝缘膜至少覆盖所述引线的一部分，且与所述半导体层接触，所述半导体层包含ZnO。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010157048.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：输送物件的自动翻正方法及其装置
- 下一篇：信道测量导频与物理资源块的映射方法
