[发明专利]利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法无效
| 申请号： | 201010157517.3 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101831613A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 郑高林;杨安丽;宋华平;郭严;魏鸿源;刘祥林;朱勤生;杨少延;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜；步骤4：关闭铟源，并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源，完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度，可以获得高质量的非极性A面InN薄膜，该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 极性 zno 缓冲 生长 inn 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜；步骤4：关闭铟源，并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源，完成A面非极性InN薄膜的生长。
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