[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010157574.1 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102237311A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/768;H01L27/088;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的栅极、栅极两侧的侧墙、以及源/漏区；位于源/漏区上的下接触部，下接触部与侧墙的外壁紧邻形成，且底部覆盖源/漏区的至少一部分，同一晶体管的源/漏区之间通过层间介质层进行隔离；形成在栅极、侧墙、源/漏区以及下接触部上的层间介质层，以及在层间介质层中形成的与下接触部相对应的上接触部。本发明的实施例适用于半导体器件的接触部制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极、所述栅极两侧的侧墙、以及所述侧墙两侧的源/漏区；在所述半导体衬底上淀积接触部材料，对所述接触部材料进行平坦化处理至栅极的顶部露出；对所述接触部材料进行刻蚀，刻蚀中保留覆盖所述源/漏区的至少一部分接触部材料以形成下接触部，并使得同一晶体管结构的源/漏之间电隔离；淀积层间介质层；以及在层间介质层中形成与所述下接触部相对应的接触孔，并在接触孔中填充接触部材料以形成上接触部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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