[发明专利]氮化镓系发光二极管有效
| 申请号： | 201010157611.9 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101834248A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 马平;李京波;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化镓系发光二极管，包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；一活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，所述活性发光层是由铟镓氮薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多周期的量子阱结构构成；一负电极制作在n型接触层未被所述活性发光层覆盖的表面上；一p型铝镓氮插入层制作在活性发光层上；一p型电子阻挡层制作在p型铝镓氮插入层上，该p型电子阻挡层由铝镓氮构成；一p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，所述活性发光层是由铟镓氮薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多周期的量子阱结构构成；一负电极，该负电极制作在n型接触层未被所述活性发光层覆盖的表面上；一p型铝镓氮插入层，该p型铝镓氮插入层制作在活性发光层上；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在p型铝镓氮插入层上，该p型电子阻挡层由铝镓氮构成；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。
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