[发明专利]采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法无效
| 申请号： | 201010157625.0 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101924022A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 马平;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C23C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓的方法，其采用金属有机化学气相沉淀系统在蓝宝石沉淀上生长高质量氮化镓和铟镓氮，该方法包括如下步骤：步骤1：将蓝宝石衬底放入反应腔内进行氢化处理，得到洁净的蓝宝石衬底；步骤2：往反应腔内输入反应气氛气体，营造反应气氛，并保持反应腔内的温度和压力在设定范围内；步骤3：在蓝宝石衬底上生长InxGa1-xN缓冲层；步骤4：在InxGa1-xN缓冲层上同温生长一层很薄的氮化镓覆层；步骤5：在氮化镓覆层上外延氮化镓层，完成氮化镓的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 in sub ga 缓冲 生长 氮化 铟镓氮 方法 | ||
【主权项】：
一种采用InxGa1 xN缓冲层生长的氮化镓的方法，其采用金属有机化学气相沉淀系统在蓝宝石沉淀上生长高质量氮化镓和铟镓氮，该方法包括如下步骤：步骤1：将蓝宝石衬底放入反应腔内进行氢化处理，得到洁净的蓝宝石衬底；步骤2：往反应腔内输入反应气氛气体，营造反应气氛，并保持反应腔内的温度和压力在设定范围内；步骤3：在蓝宝石衬底上生长InxGa1 xN缓冲层；步骤4：在InxGa1 xN缓冲层上同温生长一层很薄的氮化镓覆层；步骤5：在氮化镓覆层上外延氮化镓层，完成氮化镓的生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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