[发明专利]微机电系统压电双晶片的制备方法无效
申请号: | 201010157876.9 | 申请日: | 2010-04-27 |
公开(公告)号: | CN101814575A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 刘景全;唐刚;李以贵;杨春生;柳和生 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L41/08 | 分类号: | H01L41/08 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种MEMS技术领域的微机电系统压电双晶片的制备方法,包括:使用微加工工艺制备压电双晶片基片;在已制备的基片上、下表面,使用提拉法制备PZT薄膜;在已制备的压电双晶片上下两面镀金或银电极;使用激光修整压电双晶片;极化上下两层压电薄膜。本发明制备MEMS压电双晶片的方法,具有制备简单、成本低,并集成MEMS制造工艺等特点,有利于MEMS压电器件的制作及应用。 | ||
搜索关键词: | 微机 系统 压电 双晶 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种微机电系统压电双晶片的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:第一步、使用微加工工艺制备压电双晶片基片;第二步、在已制备的基片上、下表面,使用提拉法制备PZT薄膜;第三步、在已制备的压电双晶片上下两面镀金或银电极;第四步、使用激光修整压电双晶片;第五步,极化上下两层压电薄膜。
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