[发明专利]由半导体晶片制造集成电路的装置和方法

摘要

本发明提供一种由半导体晶片制造集成电路的装置和方法，该方法包括：对上述半导体晶片进行第一工艺；取得第一测量数据，用以指出已执行的第一工艺的正确性；使用第一测量数据，用以产生测量校正数据，其中测量校正数据包括有效部分以及无效部分；去除测量校正数据的无效部分，并且以测量校正模型模型化测量校正数据的有效部分；结合测量校正模型与第一工艺的第一工艺模型，用以产生多重解析模型，其中第一工艺模型模型化第一道工艺的输入输出关系；以及分析多重解析模型的响应与第二测量数据，用以控制第二工艺的成效。本发明用以增加先进工艺控制的控制器模块的控制有效性。

主权项

一种由一半导体晶片制造集成电路的方法，包括：对上述半导体晶片进行一第一工艺；取得一第一测量数据，用以指出已执行的上述第一工艺的正确性；使用上述第一测量数据，用以产生一测量校正数据，其中上述测量校正数据包括一有效部分以及一无效部分；去除上述测量校正数据的上述无效部分，并且以一测量校正模型模型化上述测量校正数据的上述有效部分；结合上述测量校正模型与一第一工艺模型，用以产生一多重解析模型，其中上述第一工艺模型用以模型化上述第一工艺的一输入输出关系；以及分析上述多重解析模型的一响应与一第二测量数据，用以控制一第二工艺的成效。