[发明专利]半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010158570.5 | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101867156A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 城岸直辉;荒木田孝博 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法。本发明提供能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的半导体层制造方法、抑制杂质失去活性的半导体层、能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的激光器二极管制造方法以及包括抑制杂质失去活性的半导体层的激光器二极管。在制造半导体层的方法中，在通过采用AsH3的外延生长形成半导体层后，当工艺温度为500℃以上时停止提供AsH3且不另外提供新的气体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制造 方法 以及 激光器 二极管 | ||
【主权项】：
一种半导体层的制造方法，其中在通过采用AsH3的外延生长形成半导体层之后，当工艺温度为500℃以上时停止提供AsH3且不另外提供新的气体。
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