[发明专利]顶栅顶接触自对准有机薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种顶栅顶接触自对准型有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor，OTFT)的制备方法。首先利用真空蒸镀法在清洁的绝缘衬底上制备有源层，然后利用真空蒸镀法制备绝缘层，再通过掩膜方法实现绝缘层的图案化，即形成有源层-绝缘层-有源层的台阶结构；最后利用真空蒸镀法制备金属电极层。其中源、栅、漏三个电极在最后一步工艺同时形成。本发明具有工艺简单、器件特性好的优点，将无机TFT器件中的自对准工艺方法应用于OTFT制作过程中，减少了栅极与源、漏电极的交叠面积，从而减小栅漏之间的漏电流，有利于提高器件的开关电流比。

主权项

一种顶栅顶接触自对准有机薄膜晶体管的制备方法，其步骤如下：A.用乙醇/丙酮混合溶剂超声清洗作为绝缘衬底(6)的基片10～15分钟，然后将基片放入去离子水中，煮沸到基片表面无残留气泡为止，随后再次超声清洗10～20分钟，最后再用去离子水超声10～20分钟进行漂洗，漂洗结束后，将基片置于超净间内的洁净工作台中，用红外灯烘烤1～5小时，彻底除去基片表面的水分；B.在基片上沉积40～60nm厚的CuPc作为有源层(4)；C.在有源层上沉积300～350nm厚的尼龙/CaF2作为绝缘层(5)，再通过掩膜或光刻后，形成有源层-绝缘层-有源层的台阶结构；尼龙层的厚度为5～20nm，CaF2层的厚度为295～330nm；D.在台阶结构的有源层(4)上各沉积100～150nm厚的Al金属层作为漏电极(2)和源电极(3)；E.在台阶结构的绝缘层(5)上沉积100～150nm厚的Al金属层作为栅电极(1)，从而完成顶栅顶接触自对准有机薄膜晶体管的制备。