[发明专利]减轻双曝光工艺中的抗蚀剂图案关键尺寸变化的方法有效
| 申请号： | 201010159406.6 | 申请日： | 2010-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101859065A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 李伟健;陈光荣;黄武松 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴立明;郑菊 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种减轻双曝光工艺中抗蚀剂图案关键尺寸(CD)变化的方法，通常包括：在衬底之上形成光抗蚀剂层；将光抗蚀剂层曝光于第一辐射；对光抗蚀剂层进行显影以在光抗蚀剂层中形成第一图案；在光抗蚀剂层之上形成顶涂层；将顶涂层和光抗蚀剂层曝光于第二辐射；去除顶涂层；以及，对光抗蚀剂层进行显影以在光抗蚀剂层中形成第二图案。 | ||
| 搜索关键词： | 减轻 曝光 工艺 中的 抗蚀剂 图案 关键 尺寸 变化 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，包括：在衬底之上形成光抗蚀剂层；将所述光抗蚀剂层曝光于第一辐射；对所述光抗蚀剂层进行显影以在所述光抗蚀剂层中形成第一图案；在所述光抗蚀剂层之上形成顶涂层；将所述顶涂层和所述光抗蚀剂层曝光于第二辐射；去除所述顶涂层；以及对所述光抗蚀剂层进行显影以在所述光抗蚀剂层中形成第二图案。
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