[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010159435.2 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN101853831A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 野崎义明 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 葛青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具备:具有第一引线(6)、第二引线(7)和第三引线(8)的引线框(1)。功率晶体管(2)配置在第一引线(6)上,功率晶体管(2)与第一引线(6)连接。功率晶体管(2)在第一引线(6)侧的相反侧具有漏极电极,该漏极电极与功率晶体管(2)上的Cu片(3)连接。Cu片(3)经由Al导线(4)而与第二引线(7)连接。由此,在将Al导线(4)进行引线接合时,由引线接合引起的冲击能够被Cu片(3)吸收、由引线接合引起的压力能够被Cu片(3)分散、由引线接合引起的热能够被Cu片(3)扩散。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:第一金属板、被配置在所述第一金属板上且与所述第一金属板连接,并在与所述第一金属板侧相反的一侧具有第一电极的半导体芯片、被配置在所述半导体芯片上并与所述第一电极连接的金属片、一个端部与所述金属片连接的第一配线部、与所述第一配线部的另一个端部连接的第二金属板。
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