[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010159892.1 | 申请日： | 2010-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102237396A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造领域，根据本发明，该半导体器件包括：半导体衬底；栅极区，位于所述半导体衬底上方；源/漏区，位于所述栅极区两侧，所述源/漏区由应力材料形成；其中，所述栅极区与半导体衬底之间包括应力集中区，所述应力集中区包括上面的SOI层和下面的应力释放层，所述SOI层与上方的栅极区相邻，所述应力释放层与下方的半导体衬底相邻。本发明适用于MOSFET的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；栅极区，位于所述半导体衬底上方；源/漏区，位于所述栅极区两侧，所述源/漏区由应力材料形成；其中，所述栅极区与半导体衬底之间包括应力集中区，所述应力集中区包括上面的SOI层和下面的应力释放层，所述SOI层与上方的栅极区相邻，所述应力释放层与下方的半导体衬底相邻。
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