[发明专利]非晶硅太阳能电池刻蚀不良品的修复方法及专用装置无效
申请号: | 201010160526.8 | 申请日: | 2010-04-30 |
公开(公告)号: | CN101834234A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 李志锋;曹剑忠;蒋宏彬;张红星 | 申请(专利权)人: | 江苏综艺光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 许方 |
地址: | 226376 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种非晶硅太阳能电池刻蚀不良品的修复方法,通过对存在细微金属残留物的电池单元施加10-30V反向直流电压,形成短路电流,使细微金属残留物熔断,从而修复刻蚀不良品。本发明还公开了上述非晶硅太阳能电池刻蚀不良品的修复方法的专用装置,包括:可调节输出电压的直流电源、导电探针、操作平台、探针支架、探针座。本发明提供的非晶硅太阳能电池刻蚀不良品的修复方法及专用装置,可以对非晶硅太阳能电池生产中产生的大多数刻蚀不良品进行有效修复,大幅度提高了生产合格率,具有良好的经济效益。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅 太阳能电池 刻蚀 不良 修复 方法 专用 装置 | ||
【主权项】:
一种非晶硅太阳能电池刻蚀不良品的修复方法,其特征在于:通过对不良品中存在细微金属残留而出现短路点的两个电池单元之间施加反向直流电压,使形成短路点的细微金属残留熔断,从而修复所述不良品;其中施加的反向直流电压为10-30V。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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