[发明专利]一种抗SRAM FPGA器件SEU的电路及方法有效
| 申请号： | 201010162409.5 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101826038A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 谢婧;来金梅 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于现场可编程门阵列技术领域，具体为一种应用于SRAM FPGA器件的具有抗单粒子翻转(SEU)效应功能的电路及方法。该抗SEU电路由回读电路，细粒度刷新电路，二维CRC校验电路组成。总线状态机控制回读电路将编程点中存储的信息读入回读电路中的回读寄存器，然后二维CRC校验电路电路进行校验，将发生SEU效应的编程点的地址写入SEU寄存器；内部处理器根据SEU寄存器输出经细粒度刷新电路生成细粒度刷新位流，该刷新位流通过自配置接口写入FPGA芯片内部编程点。FPGA内的发生单粒子翻转错误的编程点被重新刷新，实现抗SEU功能。本发明同时也降低了发生单粒子翻转后FPGA重构的时间和功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram fpga 器件 seu 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种抗SRAM FPGA器件SEU的电路，其特征在于该电路由回读电路，细粒度刷新电路和二维CRC校验电路经电路连接组成，总线状态机控制回读电路将编程点中存储的信息读入回读电路中的回读寄存器，然后二维CRC校验电路电路进行校验，将发生SEU效应的编程点的地址写入SEU寄存器；内部处理器根据SEU寄存器输出经细粒度刷新电路生成细粒度刷新位流，该刷新位流通过自配置接口写入FPGA芯片内部编程点；FPGA内的发生单粒子翻转错误的编程点被重新刷新，实现抗SEU功能。
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