[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201010163012.8 | 申请日： | 2000-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101834597A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 菅野雄介;水野弘之;阪田健;渡部隆夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，具备电平变换电路，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：将第1电源电压作为动作电压、输出具有第1电源电压振幅的第1信号的第1电路，将比第1电源电压高的第2电源电压作为动作电压的第2电路，将第1和第2电源电压作为动作电压、将上述第1信号变换成与上述第2电源电压对应的信号振幅后向上述第2电路输出的电平变换电路，其特征在于：上述电平变换电路包括电平移动部分和电平确定部分，所述电平移动部分用电容元件使上述第1信号的迁移电平升压，并产生在上述第2电源电压和比第2电源电压仅仅低一个第1电源电压的电压间进行迁移的第3信号，和使上述第1信号反转后的上述第1电源电压电平的反转信号；并且所述电平确定部分将上述第1电源电压电平的反转信号连接到将N型MOSFET和P型MOSFET串联连接到接地电压和上述第2电源电压上的电路的上述N型MOSFET的栅极上，并将上述第3信号连接到上述P型MOSFET的栅极上，以进行电平确定。
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