[发明专利]用于制造场效应半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010163399.7 | 申请日： | 2004-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101840997A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 白石诚司;阿多诚文 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造其中碳纳米管被用于沟道层(5)的场效应半导体器件例如场效应晶体管(6)的方法，该方法包括其中碳纳米管的物理或化学状态通过使碳纳米管经历等离子体处理而改变的步骤。采用该方法，能容易地制造具有电流路径例如沟道层的场效应半导体器件，所述电流路径例如沟道层中碳纳米管被均匀分散，该器件能够防止由碳纳米管的成束导致的器件特性下降。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 场效应 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造在电流路径中使用碳纳米管的场效应半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：形成由所述碳纳米管组成的电流路径，使所述电流路径经历等离子体处理从而改变所述碳纳米管的物理或化学状态的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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