[发明专利]一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构

摘要

本发明提供了一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构，属于表征晶体管热效应的监测技术领域。该方法通过在晶体管栅上设置一材料层，材料层与晶体管栅构成P-N结，利用P-N结的IV特性测得晶体管器件的温度。本发明将单个器件与高灵敏度的温控二极管结合，因PN结位于沟道上方的多晶硅栅上，更真实地接近器件的实际温度，可实时监测器件温度，操作简单。在大规模晶体管阵列中，该结构用于解决实时监控芯片温度和热点分布等问题的同时，可对器件局部区域进行加热，据此分析器件的可靠性和电路失配等问题，除此之外，该结构面积与器件尺寸相当，可集成于芯片。

主权项

一种实时监测晶体管温度的热表征方法，其特征在于，在晶体管的栅上设有一材料层，该材料层与晶体管栅构成P N结，在材料层上施加一偏置电压，使材料层和栅之间形成的PN结导通，测试PN结电流，PN结电流仅与PN结处的温度相关，从而得到晶体管器件温度。