[发明专利]一种探测晶片偏移位置的方法有效

专利信息
申请号: 201010163830.8 申请日: 2010-04-29
公开(公告)号: CN101832757A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 陶珩;王伟娜;朱玉东;袁群艺 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: G01B11/02 分类号: G01B11/02;G06F17/10
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 张妍
地址: 201201 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种探测晶片偏移位置的方法,通过确定晶片中心点偏移来探测晶片偏移位置,该方法在晶片周围设置若干探测器,将所述的探测器的探测方向沿晶片预定位置的径向布置,任意两个探测器之间都不存在线性位置关系,根据设置的探测器的数量不同,可选择采用两点法、三点法,或者均值两点法、均值三点法来测量计算晶片偏移位置。本发明改善了制程中晶片传输的重复精度,避免了因为晶片位置偏移而导致的晶片损坏。
搜索关键词: 一种 探测 晶片 偏移 位置 方法
【主权项】:
一种探测晶片偏移位置的方法,该方法在晶片周围设置若干探测器,其特征在于,将所述的探测器的探测方向沿晶片预定位置的径向布置,任意两个探测器之间都不存在线性位置关系,探测器相对于晶片预定位置以及制程室的位置固定,利用该若干探测器进行探测的方法包含以下步骤:步骤1、判断设置了几个探测器,若探测器个数n=2,则进行步骤2,若探测器个数n=3,则进行步骤3,若探测器个数n≥4,则进行步骤4;步骤2、利用两点法进行探测,计算得到晶片圆心偏移距离和偏移角度;步骤3、选择测量计算方法,若采用两点法,则进行步骤3.1,若采用三点法,则进行步骤3.2;步骤3.1、重复采用两点法计算得到晶片圆心偏移距离和偏移角度;步骤3.2、采用三点法计算得到偏移后晶片的圆心坐标;步骤4、选择测量计算方法,若采用均值两点法,则进行步骤4.1,若采用均值三点法,则进行步骤4.2;步骤4.1、采用均值两点法计算得到晶片圆心偏移距离和偏移角度;步骤4.2、采用均值三点法计算得到偏移后晶片的圆心坐标。
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