[发明专利]集成型半导体激光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010164149.5 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101826703A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 伊豆博昭;山口勤;大保广树;广山良治;畑雅幸;太田洁 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成型半导体激光元件及其制造方法，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；并且，第1半导体激光元件在凸部的下方具有活性层，第1发光区域位于第1半导体激光元件的活性层内，凸部经接合层嵌入凹部中，第1发光区域和第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成型半导体激光元件，其特征在于：包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；所述第1半导体激光元件在所述凸部的下方具有活性层，所述第1发光区域位于所述第1半导体激光元件的所述活性层内，所述凸部经接合层嵌入所述凹部中，所述第1发光区域和所述第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。
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