[发明专利]一种透射电子显微镜观测样品制备方法无效
申请号: | 201010164276.5 | 申请日: | 2010-04-29 |
公开(公告)号: | CN102235947A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 刘海君;赖李龙;张顺勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28;G01N13/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种透射电子显微镜观测样品制备方法,包括以下步骤:在所述图形层的表面选定电镜观测区域,去除同所述电镜观测区域一边相邻的图形层及衬底,暴露出所述电镜观测区域一边的图像层截面和衬底层截面;去除所述半导体器件衬底的大部分,保留部分衬底;对所述电镜观测区域内的衬底进行削切,形成一贯通槽;对与所述贯通槽相邻的所述暴露出的电镜观测区域一边的图形层截面进行削切,使得所述图形层截面上的不同图层上包括无其他图层和衬底在该图层的前后对该图层进行遮挡的特定部分,所述各图层的特定部分共同构成图形层观测区;对所述半导体器件进行削切,使得包含所述图形层观测区的器件尺寸符合透射电子显微镜的样品尺寸要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 透射 电子显微镜 观测 样品 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种透射电子显微镜观测样品制备方法,提供一半导体器件,所述半导体器件包括衬底和位于所述衬底上的图形层,其特征在于,包括以下步骤:在所述图形层的表面选定电镜观测区域,去除同所述电镜观测区域一边相邻的图形层及衬底,暴露出所述电镜观测区域该边的图像层截面和衬底层截面;去除所述半导体器件衬底的大部分,保留5um至15um厚度的衬底;对所述电镜观测区域内的衬底进行削切,形成一贯通槽,所述贯通槽在所述图形层至所述衬底的方向贯通于所述衬底内;对与所述贯通槽相邻的所述暴露出的电镜观测区域一边的图形层截面进行削切,使得所述图形层截面上的需观测图层上包括无其他图层和衬底在该图层的前后对该图层进行遮挡的特定部分,所述各图层的特定部分共同构成图形层观测区;对所述半导体器件进行削切,使得包含所述图形层观测区的器件尺寸符合透射电子显微镜的样品尺寸要求,形成透射电子显微镜观测样品。
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