[发明专利]导电膜及其制造方法有效
申请号: | 201010164554.7 | 申请日: | 2010-05-06 |
公开(公告)号: | CN102237153A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 裴绍凯 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/04;H01B1/02;H01B13/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种导电膜,其包括碳纳米管网状结构层及多个纳米导电粒子,该碳纳米管网状结构层具有多个网洞,该多个纳米导电粒子填充该多个网洞。上述导电膜,通过在碳纳米管网状结构层的网洞填充纳米导电粒子,提高了导电率。本发明还涉及一种上述导电膜的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 导电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种导电膜,其包括碳纳米管网状结构层,该碳纳米管网状结构层具有多个网洞,其特征在于,该导电膜还包括多个纳米导电粒子,该多个纳米导电粒子填充该多个网洞。
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