[发明专利]集成无源器件的衬底的电阻率的测量结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种集成无源器件的衬底的电阻率的测量结构，通过在衬底表面形成第一硅化物区域和第二硅化物区域，并形成与该第一硅化物区域和第二硅化物区域分别对应的第一开口和第二开口以引出测量电阻率用的两个电极，从而能够有效地对集成无源器件的衬底的电阻率进行测量，进而能够对衬底的电阻率进行监测，并得到各工艺制程对衬底的电阻率的热影响。而且，本发明公开了一种集成无源器件的衬底的电阻率的测量结构的形成方法，通过利用形成第一开口和第二开口的光罩来形成第一硅化物区域和第二硅化物区域，从而不用额外制作光罩而实现该测量结构，进而降低了成本，简化了制程。

主权项

一种集成无源器件的衬底的电阻率的测量结构，所述衬底上形成有集成无源器件，其特征在于，所述测量结构包括：形成于所述衬底表面的第一硅化物区域和第二硅化物区域；第一氧化层，形成于所述衬底上；第一顶层金属区域和第二顶层金属区域，形成于所述第一氧化层上，且与所述第一硅化物区域和第二硅化物区域相对设置；第一通孔和第二通孔，形成于所述第一氧化层中，所述第一通孔用于电连接所述第一硅化物区域和所述第一顶层金属区域，所述第二通孔用于电连接所述第二硅化物区域和所述第二顶层金属区域；钝化层，形成于所述第一顶层金属区域和第二顶层金属区域的表面，且所述钝化层中形成有与所述第一硅化物区域和第二硅化物区域分别对应的第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口用以引出测量电阻率用的两个电极。