[发明专利]SiGe异质结双极型晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010164875.7 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101819994A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 孙涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SiGe异质结双极型晶体管，包括：衬底；集电区；形成在集电区内的浅沟槽隔离；在集电区上外延生长的SiGe层；形成在SiGe层上的基极；形成在SiGe层上的发射区；形成在发射区上的发射极；以及形成在集电区上的集电极。其中，所述集电区进一步包括在衬底上采用离子布植的方式形成的抗穿通层和在所述抗穿通层上形成的n型埋层。所述抗穿通层是p型袋域布植的抗穿通层。本发明通过在衬底和集电区之间形成抗穿通层，降低晶体管和晶体管之间的穿通，提高电气隔离，并提高了SiGe异质结双极型晶体管的阈值频率和最大振荡频率，同时降低了SiGe双极型晶体管的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | sige 异质结双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiGe异质结双极型晶体管，包括：衬底；在衬底上生长的集电区；形成在集电区内的浅沟槽隔离；在集电区上外延生长的SiGe层；形成在SiGe层上的基极；形成在SiGe层上的发射区；形成在发射区上的发射极；以及形成在集电区上的集电极；其中，所述集电区进一步包括在衬底上形成的抗穿通层和在所述抗穿通层上形成的n型埋层。
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