[发明专利]一种氟硅氧聚合物本体阴离子开环聚合反应挤出合成方法有效

专利信息
申请号: 201010165022.5 申请日: 2010-04-29
公开(公告)号: CN101824151A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 郑安呐;杨鹏;管涌;危大福;高亚娟;李书召;胡福增;王书忠 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: C08G77/24 分类号: C08G77/24;C08G77/06;C08G77/44
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 林君如
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种氟硅氧聚合物本体阴离子开环聚合反应挤出合成方法,将单体、引发剂、极性调节剂、乙烯基环状单体、封端剂分别送入螺杆挤出机的不同螺段进行聚合,并且在聚合完成后适当的螺段将极性调节剂、引发剂分解产物以及副产物减压脱除,即可获得不同类型的氟硅聚合物。与现有技术相比,本发明采用反应挤出技术,生产周期缩短到数分钟,不需进行复杂的溶剂分离,提纯。具有效率高、能耗小、成本低、无污染、生产连续、品质高且稳定,同时还可以获得不同结构共聚物等优越性,具有很好的社会效益和经济效益,工业化前景十分良好。
搜索关键词: 一种 氟硅氧 聚合物 本体 阴离子 开环 聚合 反应 挤出 合成 方法
【主权项】:
一种氟硅氧聚合物本体阴离子开环聚合反应挤出合成方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:将单体、引发剂、极性调节剂、乙烯基环状单体、封端剂分别送入螺杆挤出机的不同螺段进行聚合,并且在聚合完成后适当的螺段将极性调节剂、引发剂分解产物以及副产物减压脱除,即可获得不同类型的氟硅聚合物。
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