[发明专利]一种低缺陷高亮度的衬底结构体,制备方法及其用途无效
| 申请号： | 201010165464.X | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102290509A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 孙智江 | 申请（专利权）人： | 孙智江 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L21/02;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 朱丽华 |
| 地址： | 200010 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低缺陷高亮度的衬底结构体及其制备方法和用途，衬底结构体包括有用于生长光电器件目标薄膜的基础衬底，覆在基础衬底上且是在基础衬底与目标薄膜的外延层间有一过渡层薄膜，该过渡层至少含有一层二维或三维形状的过渡薄膜，或可以是若干二维和三维形状的过渡薄膜交替叠加而成。所述的过渡薄膜可以是导电薄膜或不导电薄膜。该衬底结构体的制备方法是在目标薄膜生长前先在基础衬底上生长一过渡层薄膜，用于制作发光二极管芯片。其通过所述原有衬底上形成规则二维和(或)三维形状薄膜层，作为目标薄膜生长前的过渡层，可在不增大器件尺寸的前提下有效提高出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 亮度 衬底 结构 制备 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
一种低缺陷高亮度的衬底结构体，包括有用于生长光电器件目标薄膜的基础衬底，其特征在于：覆在基础衬底上且是在基础衬底与目标薄膜的外延层间有一过渡层薄膜，该过渡层至少含有一层二维或三维形状的过渡薄膜。
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