[发明专利]一种YIG谐振子、YIG振荡器及其制作方法有效
| 申请号： | 201010165506.X | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101841312A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈劲松;蓝江河;张菊艳;杨星星 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第九研究所 |
| 主分类号： | H03H9/00 | 分类号： | H03H9/00 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 11010 | 代理人： | 梁军;田卫平 |
| 地址： | 621000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种YIG谐振子、YIG振荡器及其制作方法，所述YIG谐振子包括耦合环和布置于所述耦合环中的YIG单晶，其中，所述耦合环为通过低温共烧铁氧体工艺按预设的耦合类型布置于多层陶瓷基板中的耦合环；所述YIG单晶镶嵌于所述耦合环中，并通过低温共烧陶瓷工艺与所述耦合环烧结为一体。本发明提供的YIG谐振子克服了耦合环手工绕制产生的一致性差、精确性差等缺陷，保证了耦合环制作的一致性、精确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 yig 谐振子 振荡器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种YIG谐振子，包括耦合环和布置于所述耦合环中的YIG单晶，其特征在于，所述耦合环为通过低温共烧铁氧体工艺按预设的耦合类型布置于多层陶瓷基板中的耦合环；所述YIG单晶镶嵌于所述耦合环中，并通过低温共烧陶瓷工艺与所述耦合环烧结为一体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第九研究所，未经中国电子科技集团公司第九研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010165506.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
