[发明专利]一种纳米周期结构红外辐射抑制材料及其制作方法有效
| 申请号： | 201010165515.9 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101863152A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 凌军;张拴勤;杨辉;王引龙;连长春;卢言利;潘家亮 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军63983部队 |
| 主分类号： | B32B15/02 | 分类号： | B32B15/02;B32B15/08;B32B9/04;B32B27/16;C23C14/24;C23C14/06 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214035 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米周期结构红外辐射抑制材料，其能保证被覆盖的高温目标和有热源目标物体的红外隐身。其技术方案是这样的：其包括衬底和上层的薄膜材料，其特征在于：所述薄膜材料为五个周期的复合纳米锗和硫化锌薄膜相互复合而成，所述复合纳米锗和硫化锌薄膜的上层是1.1mm厚度的纳米硫化锌薄膜、下层为0.7mm厚度的纳米锗薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 周期 结构 红外 辐射 抑制 材料 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米周期结构红外辐射抑制材料，其包括衬底和上层的薄膜材料，其特征在于：所述薄膜材料为五个周期的复合纳米锗和硫化锌薄膜相互复合而成，所述复合纳米锗和硫化锌薄膜的上层是1.1mm厚度的纳米硫化锌薄膜、下层为0.7mm厚度的纳米锗薄膜。
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