[发明专利]一种纳米线压电器件的制作方法有效
| 申请号： | 201010165560.4 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101859731A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 文燎勇;邵铮铮;金朝;边历峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/782 | 分类号： | H01L21/782;H01L41/22 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种纳米线压电器件的制作方法，利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列；再采用微米级或纳米级光刻法，在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和漏极；最后在源极和漏极一侧添设连接用的接点及引线，并对压电器件表面采用聚二甲基硅氧烷封装。本发明制作方法具有制作工艺简单、适用范围广泛、节省成本等优点，极大地提高了压电器件的产品率；其应用实施后制得的纳米线压电器件，能实现大量纳米线同时工作产生电能，并结合封装工艺提高了该压电器件的稳定性和输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 压电 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线压电器件的制作方法，其特征在于包括步骤：I、利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列；II、采用微米级或纳米级光刻法，在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和漏极；III、在所述源极和漏极一侧添设连接用的接点及引线，并对压电器件表面进行封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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