[发明专利]半导体装置的制造方法以及衬底处理装置

摘要

本发明提供一种能够在短时间内将吸附在衬底表面等上的多余的原料分子除去的、生产效率高的半导体装置的制造方法、以及衬底处理装置。包括以下工序：第一工序，向收容有衬底的衬底处理室内供给包含规定元素的原料气体，而在衬底上形成包含规定元素的膜；第二工序，向衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在衬底处理室内的原料气体；第三工序，向衬底处理室内供给与所述规定元素反应的改质气体，而将通过第一工序在衬底上形成的包含规定元素的膜改质；第四工序，向衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在衬底处理室内的改质气体。在进行衬底处理时，在进行以上这些工序的时候，在第二工序以及第四工序之前进行向与衬底处理室连接的气体储存部填充惰性气体的惰性气体填充工序，在第二工序以及第四工序中，将通过惰性气体填充工序被填充到气体储存部中的惰性气体向衬底处理室内供给。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，向收容有衬底的衬底处理室内供给包含规定元素的原料气体，而在所述衬底上形成包含所述规定元素的膜；第二工序，向所述衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在所述衬底处理室内的所述原料气体；第三工序，向所述衬底处理室内供给与所述规定元素反应的改质气体，而将通过所述第一工序在所述衬底上形成的包含规定元素的膜改质；第四工序，向所述衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在所述衬底处理室内的所述改质气体；以及惰性气体填充工序，向与所述衬底处理室连接的气体储存部填充惰性气体，在所述第二工序以及所述第四工序之前进行所述惰性气体填充工序，在所述第二工序以及所述第四工序中，将通过所述惰性气体填充工序被填充到所述气体储存部中的惰性气体向所述衬底处理室内供给。