[发明专利]形成包括屏蔽区的形状阵列的图形的方法有效
| 申请号： | 201010166680.6 | 申请日： | 2010-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101876793A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | C-C·陈;黄武松;李伟健;C·萨尔玛 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;英芬能技术公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及形成包括屏蔽区的形状阵列的图形的方法。在衬底上形成具有第二光敏性的第二光致抗蚀剂。在第二光致抗蚀剂上形成具有大于第二光敏性的第一光敏性的第一光致抗蚀剂。优选地，第一光致抗蚀剂为在曝光后变为透明的灰抗蚀剂。采用具有第一图形的第一母掩模光刻曝光第一抗蚀剂的至少一部分以形成至少一个透明的光刻曝光的抗蚀剂部分，而第二光致抗蚀剂保持完整。采用包括第二图形的第二母掩模光刻曝光第二抗蚀剂以在第二光致抗蚀剂中形成多个光刻曝光的形状。通过将第二图形限制在仅仅所述至少一个透明的光刻曝光的抗蚀剂图形的区域内，所述多个光刻曝光的形状具有源自第二图形的合成图形。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 包括 屏蔽 形状 阵列 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种形成构图的结构的方法，包括以下步骤：在衬底上形成从底部到顶部为第二光致抗蚀剂层和第一光致抗蚀剂层的叠层；通过使第一曝光波长照射通过具有第一图形的第一掩模来光刻曝光所述第一光致抗蚀剂层，其中所述第一光致抗蚀剂层的至少一个光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分变为对第二曝光波长光学透明；以及通过使所述第二曝光波长照射通过具有第二图形的第二掩模来光刻曝光所述第二光致抗蚀剂层，其中在所述第二光致抗蚀剂层的至少一个光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分中形成合成图形，其中所述第二合成图形与仅仅限制在所述至少一个光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分的区域内的所述第二图形相同。
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