[发明专利]一种具有高启动电压的磁控溅射脉冲电源无效
申请号: | 201010166751.2 | 申请日: | 2010-05-07 |
公开(公告)号: | CN101824602A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 陈桂涛;孙强;姬军鹏;施辉;李岩 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;H03K3/00 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 罗笛 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有高启动电压的磁控溅射脉冲电源,包括依次连接的DC输入、高压启动模块、脉冲发生模块和续流模块,续流模块与磁控溅射装置中的基片和靶材连接;高压启动模块与异常检测模块连接,高压启动模块用于为磁控溅射工艺提供一个1500V的启动电压;脉冲发生模块用于产生脉冲偏压;续流模块用于解决脉冲磁控溅射时由于等离子负载的特殊性质而导致输出电压产生较大震荡的问题;所述的异常检测模块用于检测等离子体负载电流的变化,根据负载电流的变化情况在发生异常的情况下对磁控溅射工艺进行二次高压启动。本发明的电源结构能够提高磁控溅射工程中等离子体的离化率、增强薄膜与基体结合强度和保证沉积工艺的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 启动 电压 磁控溅射 脉冲 电源 | ||
【主权项】:
一种具有高启动电压的磁控溅射脉冲电源,其特征在于,包括依次连接的DC输入(1)、高压启动模块(2)、脉冲发生模块(3)和续流模块(4),续流模块(4)与磁控溅射装置中的基片(6)和靶材(7)连接,高压启动模块(2)还与异常检测模块(5)连接,异常检测模块(5)与设置在基片(6)和靶材(7)之间的磁控溅射的等离子体(8)连接,高压启动模块(2)用于产生磁控溅射启动时所需的脉冲高压;脉冲发生模块(3)用于产生脉冲偏压;续流模块(4)用于将高压脉冲施加到磁控溅射装置中的基片(6)和靶材(7)上;异常检测模块(5)用于检测该等离子体(8)负载电流的变化,控制二次高压启动。
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