[发明专利]硅单晶的生长装置有效
| 申请号： | 201010166761.6 | 申请日： | 2005-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101831695A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 赵铉鼎 | 申请（专利权）人： | 希特隆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 禇海英;武玉琴 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供一种硅单晶的生长装置，是用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的装置，其包括：室；坩埚，设置在所述室的内部，盛硅熔体；加热器，设置在所述坩埚的侧面加热所述硅熔体，相对于所述硅熔体的整体深度距所述熔体的表面1/5处至2/3处所对应的部分，发热量比周边增加；拉拔机构，从所述硅熔体中拉拔生长的硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种硅单晶的生长装置，是用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的装置，其特征在于，包括：室；坩埚，设置在所述室的内部，盛硅熔体；加热器，设置在所述坩埚的侧面加热所述硅熔体，相对于所述硅熔体的整体深度距所述熔体的表面1/5处至2/3处所对应的部分，发热量比周边增加；拉拔机构，从所述硅熔体中拉拔生长的硅单晶。
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