[发明专利]硅单晶的生长方法有效
| 申请号： | 201010166780.9 | 申请日： | 2005-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101831697A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 赵铉鼎 | 申请（专利权）人： | 希特隆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 禇海英;武玉琴 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，即：在沿平行于单晶的径向的轴测定硅熔体的温度梯度时，把所测定的最大温度梯度称为ΔTmax，最小温度梯度称为ΔTmin，用满足{(ΔTmax-ΔTmin)/ΔTmin}×100≤10的条件使硅单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种硅单晶生长方法，是通过切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，其特征在于，在沿平行于单晶的径向的轴测定硅熔体的温度梯度时，把所测定的最大温度梯度称为ΔTmax，最小温度梯度称为ΔTmin，用满足下述表达式的条件生长所述硅单晶：{(ΔTmax-ΔTmin)/ΔTmin}×100≤10。
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