[发明专利]氧化锰基电阻型存储器与铜互连后端工艺集成的方法有效
| 申请号： | 201010167004.0 | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102237309A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;田晓鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768;H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种氧化锰基电阻型存储器与铜互连后端工艺集成的方法。该工艺集成的方法中，采用对铜引线上的盖帽层中的锰金属先硅化形成MnSi化合物层、在对该MnSi化合物层氧化以形成MnSixOy存储介质层，并且采用锰硅氧化合物层作为铜互连后端中铜引线的阻挡层。该方法具有易于与45纳米或者45纳米工艺节点以下铜互连后端工艺兼容的优点，氧化锰基电阻型存储器制备成本低，并且可靠性高、功耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锰 电阻 存储器 互连 后端 工艺 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锰基电阻型存储器与铜互连后端工艺集成的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)构图形成阻挡层为锰硅氧化合物层的铜引线；(2)在所述铜引线上覆盖沉积盖帽层；(3)构图刻蚀所述盖帽层形成孔洞以暴露欲形成MnSixOy存储介质层的铜引线区域；(4)在所述盖帽层的孔洞中填充锰金属层；(5)对所述锰金属层进行硅化处理以形成MnSi化合物层；(6)对所述MnSi化合物层进行氧化处理以形成MnSixOy存储介质层；(7)在所述MnSixOy存储介质层之上构图形成上电极；(8)继续铜互连后端工艺以形成铜栓塞和下一层铜引线；其中，0.001＜x≤2，2＜y≤5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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